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制造大功率IGBT散热器都要使用什么东西


发布时间:2019/5/20 10:53:53    来源:www.unibexx.com    浏览次数:

摘要:.制造大功率IGBT,必然是要并联的。 2.5kV/1kAIGBT,是由24个2.5kV/80A的IGBT芯片并联而成的,还有16个2.5kV/100A的超快恢复二防静电对策IGBT模块散热器的VGE保证值为±20V
上一篇我们就型材散热器风冷散热为什么会成为普遍方式做了详细介绍和说明。 本篇文章我们简单的对制造大功率IGBT散热器都要使用什么东西进行描述,作为专业的电子散热器,插片散热器,型材散热器生产制造厂家镇江市佳诺电气有限公司,将尽心整理发布各种相关知识,竭诚为您服务。

 具有同大功率晶闸管、GTO管相同的平板压接式封装结构。它突破了外延片的制约,采用(110)晶面的高阻单晶硅片制造,硅片厚度超过300μm,有了足够的机械强度。 耐压4。5kV的单管IGBT开发出来,但是,要想制作单管大电流IGBT是不可能的。在IGBT的制造过程中要做十几次精细的光刻套刻,经过相应次数的高温加工,图形大到一定程度,合格率会急剧下降,甚至为零。

 
1.制造大功率IGBT,必然是要并联的。 2.5kV/1kAIGBT,是由24个2.5kV/80A的IGBT芯片并联而成的,还有16个2.5kV/100A的超快恢复二防静电对策IGBT模块散热器的VGE保证值为±20V,在IGBT模块上加上超出保证值的电压有损坏的危险,因而在栅极-发射极之间接一只10kQ左右的电阻器为宜。驱动电路设计严格地说,能否充分利用IGBT器件的性能,关键取决于驱动电路的设计。IGBT驱动电路必须能提供适当的正向栅压、足够的反向栅压、足够的输入输出电隔离能力,以及具有栅压限幅电路等保护电路的设计IGBT模块因过电流、过电压等异常现象有可能损坏。
 
2.必须在对器件的特性充分了解的情况下,设计出与器件特性相匹配的过电压、过电流、过热等保护电路。散热设计取决于IGBT模块所允许的最高结温(Tj),在该温度下,首先要计算出器件产生的损耗,该损耗使结温升至允许值以下来选择散热片。在散热设计不充分的场合,实际运行在中等水平时,也有可能超过器件允许温度而导致器件损坏。
 
3.栅极串联电阻(Rc)对IGBT模块散热器来说,增大栅极电阻能够减少IGBT开通时续流二极管的反向恢复过电压,减少通态下出现短路的冲击电流值;与此同时,增大栅极电阻的结果将使开通关断损耗增加,延长开通和关断时间。因此最好的办法是配置两个串联电阻器,即RG(on)和RG(off),在实际设计时应考虑具体的应用要求。如在高压二极管的情况下,恢复时间趋长,RG(on)应比产品目录的推荐值大2倍~  4倍。 

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